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拿到三星尚未正式发布的新款850 SSD后，我们实在是抵挡不住诱惑，进行了第一次试用。

三星最新的64层3D V-NAND技术此前曾应用于三星移动固态硬盘T5，但这款专为台式电脑设计的硬盘850 SSD已在零售市场首次亮相。三星声称其 64 层 TLC V-NAND 比前几代产品更快、更可靠，因此该公司正在彻底改革其产品组合，以将最新的闪存推向市场。

三星的新型 64 层 V-NAND 在垂直结构中每个单元存储 3 位，通常称为 3D TLC NAND。每个芯片大约有 853 亿个单元。新芯片的容量与三星上一代48层NAND相同，但芯片更小，这意味着它可以将更多数据封装到更小的空间中，有效降低成本。

三星还在后台进行了一些性能调整。新芯片的数据传输速率为1Gb/s，比上一代提高了25%。该公司还将页面编程时间（对 NAND 单元进行编程所需的时间）缩短至 500 微秒。这使得该产品比 48 层 V-NAND 同类产品快 1.5 倍，并且该产品的可靠性也提高了 20%。

新款 850 并不是 850 Pro 或 850 EVO 产品线的替代品。在我们看到三星新款850（非EVO/非Pro）SSD的照片后不到24小时，三星就在中国发布了这款SSD。

这款850 SSD是三星750 EVO（三星专为系统集成商和OEM市场设计的产品）的更新产品。 750 EVO 提供与新款 850 类似的性能，但它使用较旧的平面二维 (2D) NAND。 750 至今仍被广泛使用，但价格通常与流行的 850 EVO 大致相同（如果不是更高的话）。与850一样，三星750 EVO也作为容量产品在中国推出。三星随后推出了 750 EVO 并在全球销售。如果三星将850推广到全球市场，我们可能会看到更高容量的850产品。

三星 850 还取代了我们大多数人从未听说过的真正入门级 650 SSD。采用 32 层 V-NAND (3D) 的三星 650 在新蛋上已经缺货几个月了。三星澳大利亚网站也将其列为“停产”。

该公司已发布其 OEM 型号的多个新版本，例如采用 64 层 V-NAND 的型号。这些驱动器通常在戴尔、联想和其他 OEM 品牌的基本系统中出售。消费者通常不会选择这些系统中的组件，因此这些 OEM 型号通常不会引起太多关注。

目前，三星尚未发表官方声明，但2018年初三星将会对新零售固态硬盘的上市时间有具体计划。但到 2018 年初，它应该会给我们一个明确的迹象。我们可以期待它推出新的零售 SSD。

规格

三星网站仅列出型号，我们的经销商只能访问此容量。根据三星中文网站上的规格，新款850使用了850 EVO系列的MGX控制器，但我们认为可能会有固件升级。新款 850 和 850 EVO 均具有相同的 540/520 MB/s 顺序读/写规格。 850 的随机读取性能略低，为 70,000 IOPS，而 EVO 为 94,000 IOPS。两种型号都具有相同的“向上”随机写入 IOPS 评级。

两年前我们放弃了测试级 SSD。我们原本期望采用新型高密度 64 层 3D NAND 成为容量最低的 SSD，但闪存短缺阻碍了这一目标，并导致价格飞涨。然而，这并不是我们放弃此类 SSD 测试的唯一原因。我们测试的产品的性能一直很低。与此同时，应用能力也在快速增长。大量现代 PC 游戏消耗了高达 100% 的存储容量，因此我们必须在可用存储容量的合理范围内划定界限。

特征

当我们查看下游模型时，最好从不可用的功能开始，而不是从可用的功能开始。根据网站提供的数据，新款850不具备TCG Opal或微软加密功能。该驱动器具有 PSID，这是用户执行加密擦除所需的 20 位数字代码。 750 EVO、850 EVO 和 Pro 系列均具有加密擦除功能，但较旧的 650 系列不支持此功能。

营销材料确实列出了 3 位 MLC (TLC) V-NAND，但没有具体说明它是 64 层。我们的消息来源已证实 850 使用 64 层 V-NAND。该驱动器还支持三星的管理软件和快速模式RAM缓存功能。

定价、保修和耐用性

三星 850 目前仅提供 MZ 型号。由于三星仅在亚洲发布这款硬盘，因此我们没有任何有关它的价格信息。

该驱动器提供三年保修，但该型号的耐用性可能为 75 TBW。

这是 850 系列中第一款提供三年保修的硬盘，而不是五年或十年保修。

配件和软件

三星在几代之前就停止销售带有配件包的硬盘“套件”。这款新产品出厂时是一个纯硬盘驱动器，带有一些纸片。三星为每个通道SSD提供管理软件。三星的产品页面还表明850通过软件支持快速模式（Mode）。快速模式使用个人计算机系统内存 (RAM) 来缓存存储流量。这种方法可以有效提高缓存数据请求的性能并减少对 NAND 的磨损。

包裹

三星没有在零售包装上列出更多产品细节。该公司甚至没有在盒子正面列出驱动器的型号。在包装盒背面，我们发现“V-NAND SSD 850”和“3年有限保修”以明显的字体标注。但是，没有给出性能和耐用性信息。

在包装盒内，我们发现了塑料外壳中的 850 SSD 以及通用的三星 SSD 手册。

近距离观察

从表面上看，850 看起来与 850 EVO 一模一样。我们还可以在驱动器背面看到 PSID 编号。

内部结构

三星成功地将所有三个主要组件安装在 PCB 的一侧。三星网站将控制器列为 MGX，与 850 EVO 相同。该驱动器不像 750 EVO 那样使用 PoP（封装封装）技术。该技术将控制器和DRAM结合在同一个封装中，但这也增加了设计成本。

产品比较

三星长期占据同类产品的主导地位。三星的 850 EVO 和 850 Pro SSD 于 2014 年 7 月推出，其他公司尚未赶上三星三年前的技术。事实是，他们永远不会。

大多数公司无法生产稳定级别的SSD，因为闪存制造商已经放弃了低容量的NAND芯片。增加 SSD 容量（同时降低价格）的愿望已将芯片容量推高至 、 和 。这些更高密度的芯片会导致设备级并行性降低，从而影响 SSD 性能。如果使用芯片的话，只需要两块芯片就可以打造出SSD！这只是两块小指大小的硅，而且密度更大的芯片即将问世。

三星现在拥有三款顶级 SSD，我们正在测试的新款 850、850 EVO 和 750 EVO。三星很早之前就停产了 850 Pro。你仍然可以通过一些二手零售商购买它，但价格几乎与 850 Pro 一样高。我们的测试结果不包括850 Pro，但包括850 EVO和750 EVO。

它较早推出了SSD，并于2016年12月向我们发送了一系列产品。它采用配备SMI控制器的3D TLC NAND。我们还没有评论过这款多彩，但它是独一无二的。三星的闪存被广泛认为是业内最好的，但该公司并不将其出售给第三方SSD制造商。七彩虹找到了一种巧妙的方法来获取并在其 SSD 中使用三星 NAND——他们使用 UFS 封装的三星闪存。我们通常在手机中找到这种类型的 NAND，但封装上的引脚允许其他公司与这种闪存连接。

我们于 2017 年 2 月发布的 Z410 和东芝是业界首款无 DRAM 的 SSD。这些驱动器带有三个您不想听到的词：无 DRAM、SATA 和 2D TLC NAND。

顺序读取性能

更快的 NAND 可以填补因大容量 NAND 芯片并行性降低而留下的空白。当我们增加队列深度时，顺序读取性能折线图显示了一致的性能。就 QD2 性能而言，新款 850 介于 850 EVO 和 750 EVO 发球单元之间。

顺序写性能

我们测试中的所有产品均使用 3 位每单元 (TLC) 闪存。 TLC NAND与低并行度的结合，由于对SLC缓存的依赖，带来了很多变化。 SLC 缓存饱和后，我们还必须应对 TLC 固有的低速度。三星的 V-NAND SSD 历史上并未因这些问题而遭受严重的性能损失，但新的 SSD 型号能够抵消更大容量硬盘的影响。

850 的性能不太理想，因为与其更高容量的系列相比，它具有更小的 SLC 缓冲区。连续数据写入SLC编程缓冲区（容量约3GB），吞吐量为/s。一旦我们使这个较小的缓冲区饱和，本地 TLC NAND 的流量就会下降，速度也会迅速下降到 160 MB/s 以上。增加队列深度不会提高性能，只会增加延迟。

随机读取性能

三星仍然设法使 850 的 QD1 随机读取性能超过 10,000 IOPS，并且随着我们工作负载的增加，它的扩展性也很好。没有其他公司的产品能够在 SATA SSD 上达到 10,000 IOPS 范围，而且大多数公司甚至很难通过更新的 NVMe 驱动器达到这一高水平。这使得它很难与竞争对手的 SSD 相媲美。

随机写性能

三星的SLC缓存还提供高随机写入性能。这三款三星 TLC 硬盘的得分远高于竞争对手。 850 和 850 EVO 在低队列深度下的性能几乎相同。

80% 混合顺序工作负载

三星的SATA固态硬盘每年都在销售市场上占据主导地位。即使容量很小，这些驱动器也可以在竞争中脱颖而出。

80% 混合随机工作负载

在测试结果最重要的情况下，850 可以轻松取代 850 EVO。 850 的低 QD 性能与老化但仍占主导地位的 850 EVO 相当。对于我们大多数人来说，4KB 混合随机工作负载测试展示了 SSD 产品带来的所有用户体验，这种强大的性能应该会延续到应用程序中，我们将在后面的实验中对其进行测试。

顺序稳态

这些低成本产品不适用于覆盖环境中的工作站。我们确实可以看到三星的TLC V-NAND SSD明显优于竞品。

随机稳态

850采用了新的64层V-NAND，稳定性比三星的TLC稍差，但它确实提供了相同的平均性能和更高的脉冲性能。我们可以将这种更高的脉冲性能归因于芯片更高的数据传输速度。

8 软件实际性能测试

新款 850 的性能与 850 EVO 和 750 EVO 相当。三星EVO固态硬盘在相当长的一段时间内保持领先于竞品的优势，让三星在存储产品线中始终领先于其他公司。在某些测试中，850 的性能优于其他三星硬盘，但在其他测试中则略有下降。

应用存储带宽

当结果以平均跑分的形式呈现时，我们可以很容易地看到两个不同的性能等级。与其他产品相比，三星 SSD 具有 100 MB/s 的优势。 850 是三星 SSD 中最慢的，但性能差异非常小，在正常使用下几乎无法区分。

8高级工作负载性能

近年来，即使是不经常使用计算机的用户也能够轻松地填充相对较小的启动磁盘。随着不再需要磁盘的可下载游戏的激增，操作系统和软件的容量不断增加。只需下载一两个游戏就可以轻松填满一个小驱动器。此测试将数据填充到驱动器，以测试驱动器已满时的性能。

用户看到这三款三星 SSD 的性能优于同类产品时不应感到惊讶。新款 850 在测试的恢复部分落后于 850 EVO。三款三星SSD在重负载测试方面没有太大区别，但850仍然优于其他两款三星SSD。

总执行时间

在执行时间测试中，所有三款三星 SSD 都属于自己的高性能层。我们还可以发现配备 3D V-NAND 的 850 和 850 EVO 与基于平面 (2D) NAND 的 750 EVO 之间的差异。

磁盘繁忙时间

新的 850 最不适合同样的任务。三星最新的闪存比上一代的 48 层 V-NAND 快得多。与850 EVO中的32层V-NAND相比，它具有更多优势。

反应测试

三星的 SSD 是唯一在 2014 年 SE 响应测试中得分超过 1,000 分的 SATA 驱动器。三星 OEM 硬盘在主流商用台式机上的初始基本分数为 1,000 分。三星仍然在 SATA SSD 排名中名列前茅，考虑到许多入门级 NVMe SSD 未能取得同样的成绩，这一位置更加令人印象深刻。

笔记本电脑电池寿命

能够撰写对新款三星 850 SSD 的第一篇评论足以让我们真正了解该级别的硬盘，但这并不是说我们推荐较低容量的 SSD。 SSD 之间的价格差异通常非常小，这意味着您将为较小容量的驱动器支付更多的每 GB 费用。

我们在新蛋上找到了一个很好的例子。 850 EVO 零售价为 100 美元，而 850 EVO 仅 114 美元。这意味着用户为硬盘每 GB 支付 0.83 美元，而 SSD 只需支付 0.45 美元。

虽然三星850不会让两种容量之间如此大的价差再次发生。目前该系列只有一种能力，但我们预计这种情况不会持续很长时间。三星并没有特别关注区分32层和48层850 EVO固态硬盘，但我们认为850可能是区分64层V-NAND产品的分水岭。在更高的密度下，最快的 V-NAND 可以提供比其前身更好的性能，至少在某些条件下是这样。

了解 850 在三星产品线中的定位将告诉我们更多有关该驱动器及其下一步发展方向的信息，因此我们联系了三星美国公司以了解更多信息。但他们建议我们联系三星中国，因为三星中国负责新产品的发布。虽然这并不牵强，但在不了解 850 的市场地位的情况下，我们无法准确告诉您美国和欧洲的用户是否可以期待该产品线。中国市场上仍然有小容量的64GB SSD出售，因此SSD仍然很受欢迎。

5月份，有传言称三星可能会从其产品中删除标志着MLC（Pro）和TLC（EVO）SSD之间差异的“PRO/EVO”品牌，因为所有新的三星产品都将使用3bit per cell TLC NAND。 NVMe 集成商列表中 980 和 970 SSD 的出现增加了谣言的可信度，但我们还在 SATA 集成商列表中发现了未发布的 860 EVO。这再次与 PRO/EVO 不再生产的传言相悖。

三星 850 最终应该会在其他市场上市，并可能通过第三方卖家在 和亚马逊上上市。

该驱动器提供与我们在 850 EVO 中看到的相同的性能，但它只提供三年保修，而不是五年保修。即使我们不知道目前三星固态硬盘产品的发展方向，我们也可以从850身上预见到三星的未来。