随着中国芯片国内生产过程的加速， Co.，Ltd。（CXMT）宣布了最新的DRAM ，它将不仅使用19NM流程来生产4GB和8GB DDR4，而且还可以预计成为2020年底。生产能力可以达到120,000个晶圆，并计划再建造两个DRAM晶圆工厂。

从 DRAM技术的开发路线规划来看，其产品线包括DDR4，DDR5，尽管尚未宣布特定的时间节点，但产品开发路线与DRAM有关，例如，SK 和等。 。，DRAM，DDR4和其他国际制造商，例如三星，SK 和。发展通常是一致的。

三星，SK ，等，这是世界上主要的DRAM制造商目前使用1ZNM DRAM技术。其中，三星在2019年3月宣布，它将使用1ZNM工艺技术在下半年批量生产8GB DDR4，生产率提高了20％以上。 还在8月份还批量生产1ZNM 16GB DDR4产品，SK还使用了第三代10nm类（1ZNM）开发的DDR4。

当前正在使用其10G1技术（19 nm工艺）来制造4GB和8GB DDR4内存芯片，其目标是在2020年第一季度将其商业化和推销到市场上，该目标将用于第二季度的内存2020年的一半。尽管该过程不如原始国际DRAM制造商好，但差距逐步缩小。

还计划使用10G3（17NM工艺）开发DDR4，DDR5和产品，并使用10G5工艺启动DDR5和产品。该技术使用HKMG和气隙位线技术，并在将来引入柱形电容器和全能门。电极晶体管和极端紫外线图（EUV）过程。

在DRAM容量方面， 当前拥有3,000多名员工和一家带有正方形清洁室的干净房间的晶圆厂。当前的每月生产能力约为20,000瓦夫，将使用10G1技术将每月的生产能力提高到40,000件。据计划，到2020年底，其10nm级的工艺技术晶圆生产能力将达到120,000件（12英寸），可与SK 在中国Wuxi的工厂相当。 存储还计划建造另外两个DRAM晶圆厂。